□ Advanced Process & Module Development (DRAM, Flash, Logic, etc.)
- Photolithography (e-beam, EUV, OPC/RET, Photo Resist Materials), Dry Etch, Cleaning & CMP, Diffusion, Ion Implantation, Metallization, Metrology & Inspection, etc.
- Device Isolation, Transistor, Capacitor, Dielectric
- High-K/Metal Gate, SiO2/SiON Gate Dielectric
- Low-K, Interconnect, etc.
※ OPC :Optical Proximity Correction (Comput. Litho), MPC :Mask Process Correction

□ FEOL/BEOL Process Integration (DRAM /Flash /Logic, etc.)

□ TCAD/ECAD
- Process & Device/Material Modeling, Circuit Compact/Reliability Modeling
- Circuit Simulator Development
- System-Level Modeling /Simulation, Virtual Platform, HW /SW Co-Design
- Simics/CoWare/SOC Designer UserMemory Controller/Memory Architecture/SSD Research Experience

□ Package Development
- Wire Bonding & Flip Chip Package /Wafer LevelPackage (WLP/TSV)
- Thining 및 PKG/Chip Warpage Control, Signal/Power/Thermal
- Material Development & Failure Analysis

□ Material Development & Enviroment Contamination Control
- Material(Wafer, PR,Gas, Chemical, Thin Film) Development
- FAB EnviromentContamination Monitoring & Control
- Material & Enviroment Failure Analysis and Qulity Guarante e


※ 전 공 :전기전자,물리/광학,화학/화공,재료/금속,기계,산업공학,항공우주공학 etc.

※ 근무지 :삼성전자(주)화성캠퍼스 (경기도 화성시 소재)

- 지원 자격
□ 박사 학위 소지자 및 2014??2월 이내 박사학위 취득예정자 ※ 단,군필 및 면제자,해외 여행에 결격 사유가 없는 자

- 지원 방법 및 기간
□ 지원 방법 :반도체연구소 채용담당자 이메일 계정으로(yikeun.chi@samsung.com )이력서 송부
※ 이력서 양식은 무관하며,필요時첨부 이력서 양식을 참고하시기 바랍니다.

□ 지원 기간 :2013년 8월 23일(금)~ 2013년 9월 1일(일)
※ 본 공고 지원 기간 外,이력서 개별 수시 접수 가능

- 전형 절차 : 지원서작성→ 지원서검토→ 면접전형→ 건강검진→ 최종합격

- 기 타
□ 이력서 검토 후 서류 전형 결과는 E-mail로 개별 발송될 예정이며, 합격자에 限하여 내방 면접이 실시될 예정입니다.

□ 접수된 서류는 일체 반환하지 않으며,허위사실이 있는 경우 입사가 취소됩니다.

□ 담당자 :삼성전자 반도체연구소 지이근(031-208-3961,yikeun.chi@samsung.com )